Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC3324GRTE85LF
TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SC3324
2SC3324GRTE85LF Hakkında
2SC3324GRTE85LF, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 120V VCE Breakdown voltajına ve 100mA kolektör akımına sahiptir. 200 minimum DC current gain (hFE) ile 100MHz transition frekansında çalışır. 150mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Vce saturation 300mV @ 1mA/10mA koşullarında karakterize edilmiştir. Anahtarlama, sinyal amplifikasyonu, RF amplifikasyon ve genel amaçlı dijital-analog devre uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir. -55°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | TO-236 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok