Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC3143-5-TB-E
TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SC3143
2SC3143-5-TB-E Hakkında
2SC3143-5-TB-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 80mA collector akımı ve 150MHz transition frequency ile çalışır. 200mW güç kapasitesi ve 160V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılan genel amaçlı transistördür. 60 minimum DC current gain değeri ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (125°C'ye kadar) stabil performans sunar. Kompakt SMD paketlemesi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | 3-CP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 3mA, 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok