Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SC2859-O(TE85L,F)

TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2SC2859

2SC2859-O(TE85L,F) Hakkında

2SC2859-O, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 30V kolektör-emitter gerilimi ve 500mA maksimum kolektör akımı ile çalışabilen bu transistör, 150mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç amplifikasyon ve anahtarlama devreleri için uygundur. 300MHz transition frequency özelliği ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. S-Mini (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, portatif cihazlar, ses amplifikatörleri, RF uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Maksimum 125°C işletme sıcaklığında güvenli çalışır ve minimum 70 hFE DC akım kazancı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 125°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 150 mW
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok