Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SC2859-GR(TE85L,F

TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2SC2859

2SC2859-GR(TE85L,F Hakkında

2SC2859-GR, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 30V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 150mW maksimum güç tüketimi ve SOT-23-3 (S-MINI) yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile analog ve dijital sinyal işleme devrelerinde, ses amplifikasyon aşamalarında, çalar devrelerinde ve düşük frekanslı transistör uygulamalarında kullanılabilir. 300MHz geçiş frekansı ve 125°C maksimum çalışma sıcaklığı sahiptir. Günümüzde üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, yeni tasarımlarda yerine geçici ürünler değerlendirilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 125°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 150 mW
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok