Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
2SC2839E-SPA-AC
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-SIP
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- 2SC2839E
2SC2839E-SPA-AC Hakkında
2SC2839E-SPA-AC, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial planar silicon transistördür. RF uygulamaları için tasarlanmış bu transistör, 320MHz transition frequency ve 25dB gain değerleriyle radyo frekans amplifikasyon işlemlerinde kullanılır. Maksimum 30mA kollektör akımı, 20V breakdown voltajı ve 150mW maksimum güç disipasyonu ile sınırlandırılmıştır. 3dB gürültü figürü (100MHz'de) sayesinde düşük gürültü RF preamplifier ve sinyal işleme devrelerinde uygulanabilir. Through-hole montaj tipi ile eski nesil ekipmanlara ve özel uygulamalara entegre edilebilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 60 (1mA, 6V koşullarında) olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 1mA, 6V |
| Frequency - Transition | 320MHz |
| Gain | 25dB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3dB @ 100MHz |
| Package / Case | 3-SIP |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Supplier Device Package | 3-SPA |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok