Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC2812N6-TB-E
TRANS NPN 50V 0.15A CP
2SC2812N6-TB-E Hakkında
2SC2812N6-TB-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 150mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 200mW maksimum güç derecelendirmesi ve 135'lik minimum DC current gain (hFE) değerleri ile genel amaçlı amplifikasyon ve switching uygulamalarında tercih edilir. Gürültü kontrol devreleri, sinyal amplifikasyon, ses frekans devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C (junction) arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 1mA, 6V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | 3-CP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok