Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC2812N6-CPA-TB-E
NPN SILICON TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SC2812N6
2SC2812N6-CPA-TB-E Hakkında
2SC2812N6-CPA-TB-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN silisyum transistördür. Surface Mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 150 mA kollektör akımı ve 50 V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 100 MHz transition frequency özellikleri sayesinde orta frekanslı anahtarlama ve RF uygulamalarında kullanılabilir. 200 mW maksimum güç tüketimi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. DC current gain (hFE) minimum 200'dür. Düşük ICBO değeri (100nA max) ile hızlı ve kararlı komütasyon özellikleri sunar. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı dijital uygulamalarda tercih edilir. Parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 6V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | 3-CP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok