Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SC2383-Y,T6KEHF(M

TRANS NPN 1A 160V TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SC2383

2SC2383-Y,T6KEHF(M Hakkında

2SC2383-Y,T6KEHF(M), Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. Maksimum 1A kolektör akımı ve 160V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW güç kapasitesi ile audio amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. TO-92 paketinde sunulan bileşen 100MHz transition frequency ve 60 minimum DC current gain (hFE) özelliklerine sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında güvenilir performans sunar. Through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 900 mW
Supplier Device Package TO-92MOD
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok