Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SC2235-O(FA1,F,M)

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SC2235

2SC2235-O(FA1,F,M) Hakkında

2SC2235-O(FA1,F,M), Toshiba tarafından üretilen bir NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Maksimum 800mA kolektör akımı ve 120V GeBr gerilimi özelliğine sahiptir. TO-226-3 (TO-92-3 Long Body) paketlemesi ile through hole montajı için uygundur. 900mW güç dağıtımı kapasitesi ve 120MHz geçiş frekansı ile orta seviye RF ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 80 minimum hFE (100mA, 5V'de) ile şiddete sahip akım kazancı sağlar. İleri seviye elektronik tasarımlardan ziyade genel amaçlı amplifikasyon ve dijital anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Not: Bu bileşen üretim dışıdır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 900 mW
Supplier Device Package TO-92MOD
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok