Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SC2229-Y,F(J

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SC2229

2SC2229-Y,F(J Hakkında

2SC2229-Y,F(J), Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 uzun gövde paketinde sunulan bu komponent, 50mA kollektör akımı ve 150V kırılma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 120MHz transition frequency ve 70 minimum DC current gain (hFE) değerleri sayesinde sinyal amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 800mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C işletme sıcaklığı ile çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yer almıştır. Düşük collector cutoff akımı (100nA) ve 500mV saturation gerilimi özellikleriyle verimli devre tasarımını destekler. Ürün günümüzde üretimi durdurulmuş (obsolete) olup yerini daha yeni komponentlere bırakmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-92MOD
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok