Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SC2229-O(SHP,F,M)

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SC2229

2SC2229-O(SHP,F,M) Hakkında

2SC2229-O, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 50mA maksimum kolektör akımı ve 150V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 120MHz transition frequency özelliğine sahip bu transistör, ses amplifikatörleri, RF ön amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. TO-92 through-hole paketinde sunulan komponent, 150°C maksimum işletme sıcaklığında 800mW güç yayabilir. 70 minimum DC current gain (hFE) değeri ile güvenilir amplifikasyon karakteristiği sağlar. Eski üretim (obsolete) olmasına rağmen, benzer uygulamalar için veri tabanında arşivleme amaçlı bulunur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-92MOD
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok