Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC1959-Y-AP
TRANSISTOR TO-92 MOD
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SC1959
2SC1959-Y-AP Hakkında
2SC1959-Y-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92 through-hole paketinde sunulmaktadır. 500mA maksimum collector akımı, 30V collector-emitter gerilimi ve 300MHz transition frequency özellikleriyle orta güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 120 minimum DC current gain (hFE @ 100mA, 1V) ile ses amplifikatörleri, küçük sinyal güçlendiricileri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında, 500mW maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır. ICBO cutoff akımı maksimum 100nA olup, Vce saturation 250mV (10mA base, 100mA collector akımında) düzeyindedir. Uygun maliyetli bir seçenek olarak eski tasarımların yerini alma (replacement) uygulamalarında tercih edilebilir. Parça durumu obsolete olmasına rağmen, teknik özellikleri benzer transistörlerle karşılaştırılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok