Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC1959-GR-AP
TRANSISTOR TO-92 MOD
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SC1959
2SC1959-GR-AP Hakkında
2SC1959-GR-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 500mA maksimum collector akımı, 30V maksimum VCE breakdown voltajı ve 300MHz transition frekansı ile çalışır. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile düşük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve genel amaçlı NPN transistör uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Obsolete ürün statüsüne sahip olup, benzer güncel transistörlerle değiştirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok