Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC1213C-E
0.5A, 50V, NPN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SC1213C
2SC1213C-E Hakkında
2SC1213C-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörüdür. 500mA kolektör akımı, 35V maksimum VCE(breakdown) ve 400mW güç dağıtım kapasitesiyle orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-92 paket tipi ile through-hole montajı destekler. 100 minimum hFE değeri ile 10mA kolektör akımında stabil kazanç sağlar. 600mV VCE doyum voltajı anahtarlama devrelerinde düşük kayıp sağlar. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, düşük frekanslı sinyal işlemesi ve genel amaçlı BJT uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 3V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 15mA, 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok