Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC1213AB-E
0.5A, 50V, NPN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SC1213AB
2SC1213AB-E Hakkında
2SC1213AB-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 500mA kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter gerilimi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 400mW güç dağıtım kapasitesi ile düşük ve orta güç devrelerinde yer bulur. DC akım kazancı (hFE) minimum 60 (10mA, 3V koşullarında) olup, 150°C'ye kadar çalışabilir. Saturasyon gerilimleri düşük (600mV max) olan bu transistör, özellikle açık-kapalı (switching) uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve güç kontrolü devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 3V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 15mA, 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok