Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB906-Y(TE16L1,NQ
TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SB906
2SB906-Y(TE16L1,NQ Hakkında
2SB906-Y, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistörtür (BJT). TO-252 (DPak) yüzey montaj kasasında sunulan bu transistör, maksimum 60V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı ile çalışabilir. 1W güç tüketim kapasitesi ile anahtarlama ve güçlendirme uygulamalarında kullanılır. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 9MHz transition frequency özelliğine sahiptir. Düşük sinyal seviyesi anahtarlamadan orta güçlü uygulamalara kadar geniş bir kullanım alanına sahiptir. İlk kapatma gerilimi (Vce sat) 1.7V olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 9MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | PW-MOLD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.7V @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok