Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB817C-1E
TRANS PNP 140V 12A
2SB817C-1E Hakkında
2SB817C-1E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj ve akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maximum 140V collector-emitter gerilimi ve 12A collector akımı ile çalışabilen bu transistör, 120W güç dağıtabilir. 10MHz transition frequency özelliği ile orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygun performans sağlar. TO-3P-3 (SC-65-3) pakette sunulan bileşen, güç amplifikatörleri, darbe şekillendirme devreler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C çalışma sıcaklığı ve 2V saturation gerilimi ile stabil işletme özelliklerine sahiptir. Halihazırda üretim dışı (Obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 120 W |
| Supplier Device Package | TO-3P-3L |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok