Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB815-6-TB-E
TRANS PNP 15V 700MA 3CP
2SB815-6-TB-E Hakkında
2SB815-6-TB-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipinde bir bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, maksimum 700mA kolektör akımı ve 15V gerilim dayanımı ile tasarlanmıştır. 250MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 200mW güç tüketimi ve 80mV doyum gerilimi ile düşük kayıpla çalışır. DC akım kazancı (hFE) 50mA'de 2V Vce koşulunda minimum 200'dür. Cihazın maksimum çalışma sıcaklığı 125°C'dir. Ses frekans amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. Not: Bu bileşen üretimden kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 700 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 50mA, 2V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | 3-CP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok