Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB647A-B-AP
TRANSISTOR TO-92 MOD
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SB647A
2SB647A-B-AP Hakkında
2SB647A-B-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. TO-92-3 pakette sunulan bu komponent, maksimum 1A kollektor akımı, 100V VCEO (Collector-Emitter Breakdown Voltage) ve 900mW güç dissipasyon kapasitesine sahiptir. 140MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde yer bulur. DC current gain (hFE) 150mA kollektor akımında ve 5V VCE koşulunda minimum 60'tır. Through-hole montaj tipidir ve eski tasarımların revizyon veya onarım uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 150mA, 5V |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok