Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1457,T6YMEF(M
TRANS PNP 2A 100V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SB1457
2SB1457,T6YMEF(M Hakkında
2SB1457, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2A kolektör akımı ve 100V gerilim kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 50MHz transition frequency ile ses frekansı ve düşük RF uygulamalarına uygundur. 900mW güç kapasitesi ve 2000 minimum DC akım kazancı (1A, 2V'de) sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devreleri tasarımında tercih edilir. Yüksek kolektör-emitter doyum gerilimi (1.5V) ve düşük kesme akımı (10µA) karakteristikleri ile enerji verimli tasarımlar mümkün kılar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok