Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SB1457,T6TOTOF(J

TRANS PNP 2A 100V TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SB1457

2SB1457,T6TOTOF(J Hakkında

2SB1457, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 (TO-92 Long Body) paketinde sunulan bu transistör, 2A kollektör akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW maksimum güç dağıtma kapasitesi ve 50MHz transition frequency ile ses frekansı ve düşük frekansı rf uygulamalarında tercih edilebilir. 2000 minimum DC current gain (hFE) değeri ile güçlü amplifikasyon sağlar. 1.5V saturation voltajı ve 10µA collector cutoff akımı ile düşük sinyal kaybı sunar. Ses amplifikatörleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Parça obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 1A, 2V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 900 mW
Supplier Device Package TO-92MOD
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok