Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1429_R1_00001
PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
2SB1429_R1_00001 Hakkında
2SB1429_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Düşük doyum gerilimi (Vce Sat: 300mV) özelliğine sahip bu bileşen, güç tüketiminin azaltılması gereken uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 3A kolektor akımı ve 160MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sunar. 1.25W maksimum güç disipasyonu ve 20V collector-emitter breakdown voltajı ile ses amplifikasyonu, motor kontrol, güç yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. Surface mount SOT-23 paket tipi, kompakt PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 160MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25 W |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok