Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1260T100Q
TRANS PNP 80V 1A SO-89
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- 2SB1260
2SB1260T100Q Hakkında
2SB1260T100Q, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistörüdür (BJT). TO-243AA (SO-89) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 1A kollektör akımı ve 80V çökmeli gerilim değerleriyle çalışır. 100mA/3V koşullarında 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 100MHz geçiş frekansıyla, orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Maksimum 2W güç yayma kapasitesi, 150°C çalışma sıcaklığı ve 400mV doyum gerilimi ile düşük sinyalli devre kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve sinyal amplifikasyonunda kullanılır. Aktif parça statüsüne sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | MPT3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok