Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SB1260T100P

TRANS PNP 80V 1A SOT-89

Paket/Kılıf
TO-243AA
Seri / Aile Numarası
2SB1260

2SB1260T100P Hakkında

2SB1260T100P, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-89 (TO-243AA) surface mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile çalışmaktadır. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2W güç tüketimi kapasitesi ile audio amplifikatörleri, genel amaçlı switching devreleri, sinyal amplifikasyonu ve kontrol uygulamalarında tercih edilir. 400mV saturation voltajı ile enerji verimli tasarımlara uygundur. Düşük collector cutoff akımı (1µA) ve 82 minimum DC current gain değerleri ile güvenilir komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-243AA
Part Status Active
Power - Max 2 W
Supplier Device Package MPT3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok