Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1229T
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SB1229
2SB1229T Hakkında
2SB1229T, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP epitaxial planar silikon bipolar junction transistördür. 2A maksimum kolektör akımı, 750mW güç yönetim kapasitesi ve 150MHz transition frekansı ile orta güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) 100mA kolektör akımında sağlanır. 50V kolektör-emitter kırılma voltajı ve 700mV doyum voltajı ile endüstriyel kontrol devreleri, ses amplifikatörleri, güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. TO-92-3 paket tipinde sunulan komponent -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 750 mW |
| Supplier Device Package | 3-NP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok