Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB12190RL
TRANS PNP 25V 0.5A SMINI 3P
2SB12190RL Hakkında
2SB12190RL, Panasonic tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. 25V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç seviyesinde çalışmaya uygundur. 200MHz transition frequency özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. SC-70 (SOT-323) SMini3-G1 yüzey montajlı kasa tipinde sunulmaktadır. 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 150mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyal anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Düşük collector cutoff akımı (100nA) sayesinde sızıntı akımları minimize edilmiştir. Uygulamalar arasında sinyal işleme, ses frekansı amplifikatörleri, anahtarlama güç kaynakları ve genel amaçlı transistör uygulamaları sayılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | SMini3-G1 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok