Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1216T-H
TRANS PNP 100V 4A TP
2SB1216T-H Hakkında
2SB1216T-H, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörtür. 100V collector-emitter breakd gerilimi ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 500mV saturasyon gerilimi (2A/200mA) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 130MHz transition frequency ile hızlı komutasyon işlemleri gerçekleştirebilir. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1W güç dağıtabilir ve -40°C ile +150°C arasında çalışmaya uygundur. Cihazın üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok