Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1216T-E
TRANS PNP 100V 4A TP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Seri / Aile Numarası
- 2SB1216
2SB1216T-E Hakkında
2SB1216T-E, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 130MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. TO-251-3 (IPak) through-hole paketinde sunulan bu transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında dayanıklıdır. 200 minimum DC current gain (hFE), 500mV saturation voltajı ve 1µA cutoff akımı ile belirtilen özellikleri sunar. 1W maksimum güç yayılımı kapasitesi olan bu komponent, endüstriyel kontrol devre elemanları, anahtarlama uygulamaları ve ses sinyali amplifikasyonu gibi alanlarda kullanıma uygundur. Komponent obsolete statüsü nedeniyle yalnızca stok tükenene kadar temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok