Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1216S-TL-H
TRANS PNP 100V 4A TP-FA
2SB1216S-TL-H Hakkında
2SB1216S-TL-H, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 100V kollektör-emiter kırılma gerilimi ve 4A maksimum kollektör akımı ile orta güç seviyesindeki anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, 130MHz transition frequency ve 140 (hFE minimum değeri) ile sayısal mantık devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve güç kaynağı devrelerinde yer alabilir. 1W maksimum güç dağılımı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda güvenilir çalışma sunar. Düşük VCE(sat) değeri (500mV @ 2A) transistörü doyum bölgesine yaklaştırır ve enerji kaybını minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP-FA |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok