Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1216S-TL-E
TRANS PNP 100V 4A TPFA
2SB1216S-TL-E Hakkında
2SB1216S-TL-E, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörtür (BJT). TO-252-3 (DPak) surface mount paketi ile sunulan bu bileşen, 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 130MHz transition frequency ile RF ve anahtarlama devrelerinde tercih edilebilir. DC akım kazancı 500mA, 5V koşullarında 140'tır. 1W maksimum güç derecelendirmesi sayesinde lineer amplifikatörler, anahtar devreler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. Vce saturation değeri 500mV (@200mA, 2A) düşük kayıp için optimize edilmiştir. Not: Bu ürün üretim safhası sona ermiş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP-FA |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok