Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SB1216S-E

TRANS PNP 100V 4A TP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
2SB1216S

2SB1216S-E Hakkında

2SB1216S-E, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar transistördür. TO-251-3 (IPak) short leads paketinde sunulan bu komponent, maksimum 4A kolektör akımı ve 100V gerilim aralığında çalışmaya uygun tasarlanmıştır. 130MHz transition frequency'si ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. Maksimum 1W güç dağıtımı kapasitesine sahip olan transistör, 500mV saturasyon gerilimi ile iyi switching karakteristikleri sunar. DC akım kazancı (hFE) 500mA, 5V koşullarında minimum 140 değerine ulaşır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu komponent, güç amplifikasyonu, anahtarlama devrelerinde ve orta güçlü uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu parça artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 130MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TP
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok