Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SB1215T-H

TRANS PNP 100V 3A TP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
2SB1215

2SB1215T-H Hakkında

2SB1215T-H, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 100V kolektör-emiter breakdown voltajı ve 3A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1W maksimum güç yayma kapasitesi ve 130MHz transition frequency özellikleriyle, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 200 minimum DC akım kazancı ile stabil anahtarlama performansı sunar. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 130MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Not For New Designs
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TP
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok