Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1215T-E
TRANS PNP 100V 3A TP
2SB1215T-E Hakkında
2SB1215T-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 3A kolektör akımı ve 100V kolektör-emiter gerilim yeteneğine sahiptir. 130MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 200 değerindedir. Maksimum 1W güç tüketebilen bu bileşen, 150°C çalışma sıcaklığına dayanır. Şu anda üretim dışı olmuştur. Sabit durum (saturation) voltajı 500mV'tir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan genel amaçlı bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 150mA, 1.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok