Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1215S-H
2SB1215 - BIPOLAR TRANSISTOR, -1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Seri / Aile Numarası
- 2SB1215
2SB1215S-H Hakkında
2SB1215S-H, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 paketinde sunulan bu transistör, 3A maximum collector akımı ve 140 minimum DC current gain (hFE) değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 130MHz transition frequency ve 500mV saturation voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1W maksimum güç dissipasyonu ile ses amplifikatörleri, güç sürücüleri ve DC motor kontrol uygulamalarında yer bulur. -40°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir ve through-hole montajı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 150mA, 1.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok