Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1215S-E
TRANS PNP 100V 3A TP
2SB1215S-E Hakkında
2SB1215S-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 130MHz transition frequency'ye sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 500mA ve 5V koşullarında minimum 140'tır. 1W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile otomotiv, endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 500mV saturation voltajı (150mA base akımı, 1.5A collector akımında) düşük kayıp işlemler için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 150mA, 1.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok