Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SB1203T-H-TL-E

TRANS PNP 50V 5A

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
2SB1203

2SB1203T-H-TL-E Hakkında

2SB1203T-H-TL-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 5A maksimum kolektor akımında çalışabilir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 130MHz transition frequency'si ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 1W maksimum güç disipasyonu ve 200 minimum hFE değeri ile düşük sinyallerin güçlendirilmesi, anahtarlama devreleri, güç kontrolü ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Cihazın maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 130MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TP-FA
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok