Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SB1203S-H

TRANS PNP 50V 5A TP

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
2SB1203S

2SB1203S-H Hakkında

2SB1203S-H, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) short leads paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 5A collector akımı ile çalışabilir. 140 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. 130MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uyundur. Maksimum 1W güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı desteği sunar. 550mV saturation voltajı ile düşük güç kaybında anahtarlama gerçekleştirir. Güç kaynakları, DC motor kontrol devreleri, sinyal anahtarlama ve genel amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. Not: Bu bileşen discontinued (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 130MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TP
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok