Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1203S-E
TRANS PNP 50V 5A TP
2SB1203S-E Hakkında
2SB1203S-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyal ve orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 5A maksimum collector akımı ile çalışır. 1W güç dağıtma kapasitesine sahip olan bu transistör, voltage amplification, switching ve logic circuit uygulamalarında yer alır. 140 minimum DC current gain (hFE) değeri ile stabil amplifikasyon sağlar. 130MHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarına uygun olup, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. TO-251-3 (IPak) paket ile Through Hole montajı destekler. Ses amplifikatörleri, aydınlatma kontrolü ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 150mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok