Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1202T-E
TRANS PNP 50V 5A TP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Seri / Aile Numarası
- 2SB1202T
2SB1202T-E Hakkında
2SB1202T-E, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponentin maksimum collector akımı 3A, breakdown voltajı 50V ve maksimum güç dissipasyonu 1W'tır. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 150MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığı desteği sunmaktadır. Saturation voltajı 700mV'dir. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve genel amaçlı BJT devre tasarımlarında tercih edilebilir. Komponentin üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 100mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok