Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1202S-E
TRANS PNP 50V 3A TP
2SB1202S-E Hakkında
2SB1202S-E, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V kollektör-emitter gerilimi ve 3A kollektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency ve 140 (minimum) DC akım kazancı ile, anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon devreleri için uygundur. 1W maksimum güç tüketimi ve 700mV (saturation) gerilimi ile belirtilen özellikleri, endüstriyel kontrol, ses amplifikasyon ve bilgisayar periferal uygulamalarında tercih edilmektedir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 100mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok