Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SB1201T-TL-E

TRANS PNP 50V 2A TP-FA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
2SB1201T

2SB1201T-TL-E Hakkında

2SB1201T-TL-E, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, 50V kolektör-emiter gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile çalışır. 800mW güç tüketim kapasitesine sahip olan bu bileşen, 150MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanır. Minimum 200 hFE DC akım kazancı (100mA, 2V'de) ile güç yönetimi, anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve genel amaçlı elektronik tasarımlarında tercih edilir. Vce saturation değeri 700mV (50mA, 1A'de) olarak belirtilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TP-FA
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok