Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1201T-E
TRANS PNP 50V 2A TP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Seri / Aile Numarası
- 2SB1201T
2SB1201T-E Hakkında
2SB1201T-E, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP bipolar jonksiyon transistörüdür. 50V maksimum kolektör-emiter gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 800mW güç tüketim kapasitesine sahip bu transistör, 150MHz transition frequency ile hızlı komütasyon işlemleri gerçekleştirebilir. TO-251-3 (IPak) paketlemesinde sunulan bileşen, 150°C'ye kadar çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) 100mA'de 200 minimum değerdedir. Ses amplifikatörleri, güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok