Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1201S-E
TRANS PNP 50V 2A TP-FA
2SB1201S-E Hakkında
2SB1201S-E, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP BJT transistördür. 50V kollektör-emitter voltajı ve 2A maksimum kollektör akımı ile tasarlanan bu komponent, 150MHz transition frequency'ye sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulan transistör, 140 minimum DC current gain (hFE) değerine ve 800mW maksimum güç tüketimine sahiptir. Saturation voltajı 700mV'dir. Anahtarlama uygulamaları, güç amplifikasyon devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. İşletme sıcaklığı -40°C ile +150°C arasında değişebilir. Yüksek akım gereken anahtarlama ve amplifikasyon görevleri için uygun bir orta güç transistörüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TP-FA |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok