Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SB1181TLP

TRANS PNP 80V 1A SOT-428

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
2SB1181

2SB1181TLP Hakkında

2SB1181TLP, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistörüdür (BJT). Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 80V maksimum Vce diykat voltajı ve 1A maksimum collector akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ve 400mV saturasyon voltajı (500mA, 50mA koşullarında) ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 1W maksimum power dissipation ve 150°C maksimum junction sıcaklığı özellikleriyle, ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer bulur. 82 minimum hFE (100mA, 3V koşullarında) değeri ile stabil akım kazancı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package CPT3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok