Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB11560P
TRANS PNP 80V 20A TOP-3F
2SB11560P Hakkında
2SB11560P, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TOP-3F paketinde üretilen bu komponent, 80V kollektör-emitör breakdown voltajı ve 20A maksimum kollektör akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 3W maksimum güç derecelendirmesi ve 130 minimum DC current gain (hFE) ile orta güç seviyesinde anahtar ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. 30MHz transition frequency, sınırlı hızlı anahtarlama işlemleri için yeterlidir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olup, 10µA kollektör cutoff akımı düşük kaçak akımını gösterir. Tipik uygulamalar: ses amplifikatörleri, motor sürücü devreleri, güç kontrolü ve anahatlama devreleri. (Üretimi durdurulmuş - Obsolete)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 3A, 2V |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TOP-3F |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3 W |
| Supplier Device Package | TOP-3F-A1 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 2A, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok