Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1151-G-BP
TRANSISTOR TO-92 MOD
- Paket/Kılıf
- TO-225AA
- Seri / Aile Numarası
- 2SB1151
2SB1151-G-BP Hakkında
2SB1151-G-BP, Micro Commercial Components tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup TO-225AA ve TO-126-3 paket seçenekleriyle sunulmaktadır. 5A maksimum kollektör akımı, 200 minimum DC akım kazancı (hFE @ 2A, 1V) ve 60V maksimum collector-emitter breakdown voltajı özelliklerine sahiptir. 1.25W maksimum güç derecelendirmesi ile ve -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışır. 300mV doyum voltajı (300mV @ 200mA, 2A) ile elektronik anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve güç kontrol uygulamalarında kullanılabilir. Through hole montajlı olması manuel ve otomatik montaj proseslerine uygunluğu sağlar. Bileşen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 1V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.25 W |
| Supplier Device Package | TO-126 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok