Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1132T100P
TRANS PNP 32V 1A SOT-89
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- 2SB1132
2SB1132T100P Hakkında
2SB1132T100P, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, 32V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 1A maksimum kolektor akımı ile karakterizedir. TO-243AA (SOT-89) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 150MHz geçiş frekansı ve 82 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç dağıtımı kapasitesi, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, gerilim düzenleyicileri ve genel sinyal işleme uygulamalarında yer bulur. 500mV maksimum doyum gerilimi ile düşük sinyal kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 100mA, 3V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | MPT3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok