Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1122T-TD-E
TRANS PNP 50V 1A PCP
2SB1122T-TD-E Hakkında
2SB1122T-TD-E, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 50V collector-emitter gerilimi, 1A maksimum collector akımı ve 500mW güç derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 150MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, düşük sinyalli RF uygulamalarında ve genel amaçlı anahtarlama görevlerinde tercih edilir. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol, ses amplifikatörleri ve dc-dc dönüştürücü devrelerinde yer bulur. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Dipnot: Üretim durumu Obsolete olmasına rağmen, bazı uygulamalarda uyumlu alternatiflerle değiştirilmesi gerekebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | PCP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok