Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1122S-TD-E
TRANS PNP 50V 1A PCP
2SB1122S-TD-E Hakkında
2SB1122S-TD-E, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, 50V kollektör-emitör gerilimi ve 1A maksimum kollektör akımı ile çalışır. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan bu transistör, 500mW güç tüketimi ve 150MHz transition frequency özellikleriyle sahiptir. 100 @ 100mA, 2V şartlarında 100 minimum DC current gain (hFE) değerine karşılık gelmektedir. Vce saturasyon gerilimi 50mA kolektör akımında 500mV olarak belirlenmiştir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında kullanılabilen bu bileşen, düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle tüketici elektronikleri ve endüstriyel cihazlarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | PCP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok