Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SB1116-K-TP
TRANSISTOR TO-92 MOD
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SB1116
2SB1116-K-TP Hakkında
2SB1116-K-TP, Micro Commercial Components tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 (TO-236-3, SC-59) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1A collector akımı, 200 minimum DC current gain (hFE) ve 70MHz transition frequency ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanıma uygundur. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 350mW maksimum güç disipasyonu ile genel amaçlı sinyal işleme, ses amplifikasyonu ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Parazit collector akımı (ICBO) 100nA'den düşüktür ve Vce saturation voltajı 300mV'dır. Günümüzde üretim durdurulmuş olup, arşiv ve retro projelerde tedariği sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 70MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok